更新时间：2024-12-13 05:16:41 点击量：
金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“一种具有凸形隔离区结构的TBC太阳能电池的制备方法”的专利，公开号CN 119108462 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种具有凸形隔离区结构的TBC太阳能电池的制备方法。首先，本发明通过巧妙的制备方法，可制得具有凸形隔离区结构的TBC太阳能电池，不仅可减少p区（硼扩散区）和n区（磷扩散区）发生短路的概率，还可降低部分硼扩散层或磷扩散层厚度以减少寄生吸收影响；其次，本发明通过优化工艺步骤，实现了单次沉积本征多晶硅层即可得到TBC太阳能电池，可有效提升产品的性能和良品率，并同时显著降低生产成本。
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